Karakterisatie en modellering van straling en temperatuur op 0.35 µm Si-Ge transimpedantie versterkers

Research output: ThesisMaster's thesis

Authors

Institutes & Expert groups

Documents & links

Abstract

Deze masterproef behandelt de karakterisatie en modellering van drie geïntegreerde 0.35 um Si-Ge BiCMOS transimpedantie versterkers. Deze drie versterkers verschillen onderling in opbouw, dit geeft ze eigen typische eigenschappen. Het uiteindelijke doel van het eindwerk is dan ook te gaan bepalen welk van deze drie versterkers het meest geschikt is om te dienen als versterker voor een ultrasone sensor. Deze bepaling gebeurt op basis van hun gedrag in functie van temperatuur en gammastraling. De belangrijkste DC parameters van de versterkers zijn gesimuleerd in SPICE onder invloed van temperatuur. Deze parameters worden vervolgens worden uitgemeten in functie van de temperatuur en vergeleken met de simulaties. Dezelfde parameters uit de vorige stappen worden uitgemeten tijdens bestraling met dezelfde opstelling die gebruikt werd bij de temperatuursmetingen. Deze resultaten worden geëvalueerd en hieruit worden dan conclusies getrokken om de meest geschikte versterker te kiezen. Hierna gaan we in SPICE deze drie versterkers modelleren, om zo in de toekomst een idee te kunnen krijgen hoe een andere versterker gaat reageren onder invloed van een bepaalde dosis gammastraling. Uiteindelijk kan geconcludeerd worden dat bipolaire transistoren het minst stralings- gevoelig zijn, maar wel merkelijk gevoeliger zijn voor temperatuursschommelingen dan de CMOS transistoren.

Details

Original languageEnglish
Awarding Institution
  • PXL - Hogeschool PXL
Supervisors/Advisors
Place of PublicationHasselt, Belgium
Publisher
  • PXL - Hogeschool PXL
Publication statusPublished - 24 Jun 2010

Keywords

  • SiGe, transimpdantieversterker, TIA, gamma straling

ID: 224795