Karakterisatie van drie stralingsharde 0.35μm SiGe BiCMOS transimpedantie-versterkers

Research output: ThesisMaster's thesis

Authors

  • Bastiaan Van Hees

Institutes & Expert groups

Documents & links

Abstract

Deze masterproef behandelt de karakterisatie van drie geïntegreerde 0.35µm SiGe transimpedantie-versterkers. In het eerste hoofdstuk wordt zowel de MYRRHA reactor als het het LIDAR systeem kort toegelicht. In het daarop volgend hoofdstuk worden de drie transimpedantie-versterkers uitvoeriger toegelicht. Eerst worden er algemene temperatuur- en stralingseffecten op CMOS en bipolaire transistoren besproken. Vervolgens wordt de werking van de interne circuits van de drie TIA’s uitgebreid verklaard, en wordt ook het stralingshard ontwerp alsook de lay-out verklaard. Het volgend deel bevat simulaties om de werking en de parameters te kunnen schatten, zowel in functie van de temperatuur als onder invloed van straling. Achtereenvolgens worden er DC, AC, transiënt, ruis, lineariteit en gevoeligheidssimulaties uitgevoerd en geanalyseerd. In dit hoofdstuk worden de drie TIA’s onderling vergeleken. In het voorlaatste hoofdstuk wordt het automatisch karakteriseren toegelicht. Hierbij wordt er dieper op het ontwerp van de PCB’s ingegaan, alsook de werking van de geautomatiseerde meetopstelling met LabVIEW. Verder wordt het ontwerp van de RF-PCB’s en de vooropgestelde maatregelen uitgelegd. Het laatste deel van deze masterproef bevat de resultaten van de experimentele testen. De resultaten van de DC en AC metingen worden besproken.

Details

Original languageEnglish
Awarding Institution
  • KHK - Katholieke Hogeschool Kempen - Thomas More Kempen
Supervisors/Advisors
Place of PublicationGeel, Belgium
Publisher
  • Thomas More
Publication statusPublished - Jun 2009

Keywords

  • gamma straling, ITER, MYRRHA, TIA, versterkers

ID: 108046