Karakterisering van drie stralingsharde 0,7µm CMOS opamps voor gebruik in een voorversterker voor druksensoren

Research output: ThesisMaster's thesis

Authors

Institutes & Expert groups

Documents & links

Abstract

In deze scriptie wordt de karakterisering besproken van 3 verschillende versterkers, die opgebouwd zijn met een 0.7µm transistor technologie. De versterkers zullen werkzaam zijn in een agressieve omgeving, meer bepaald bij een hoge temperatuur en een hoge stralingsdosis. Om de correcte werking van de versterkers te garanderen in een stralingsomgeving, is het noodzakelijk dat men aangepaste ontwerptechnieken toepast en dat men hun gedrag bij toenemende stralingsdosissen bestudeert. Hiervoor vinden er metingen plaats in een stralingsomgeving. Voor de karakterisering van een versterker is het nodig om vele metingen uit te voeren, terwijl men er moet voor zorgen dat de aanwezigheid van personeel in een stralingsomgeving tot een minimum beperkt wordt. Daarom is een automatisering van de meetcyclus nodig. Met behulp van een labVIEW prgramma worden de verbindingen tussen het te karakteriseren IC, de schakelaars en de meetapparatuur gerealiseerd via twee zelf ontworpen PCB's.

Details

Original languageEnglish
Awarding Institution
  • KHK - Katholieke Hogeschool Kempen - Thomas More Kempen
Supervisors/Advisors
Place of PublicationGeel, Belgium
Publisher
  • Thomas More
Publication statusPublished - Jun 2008

Keywords

  • transistoren, opamp, karakterisering, stralingshard, CMOS

ID: 257155