Modellering van het stralingsgedrag van bipolaire transistoren met VHDL-AMS

Research output: ThesisMaster's thesis

Institutes & Expert groups

Documents & links

Documents

Abstract

In deze masterproef wordt een stralingsafhankelijk VHDL-AMS transistormodel ontwikkeld voor 2 commercieel beschikbare technologieën. Voorgaande op het eigenlijke modelleren wordt een literatuurstudie uitgevoerd. Het doel hiervan is meer inzicht te verwerven in stralingseffecten op elektronische componenten. Speciale aandacht wordt besteed aan het Gummel-Poon BJT model. Na een introductie in VHDL-AMS wordt een model geschreven startend van een gegeven SPICE model. We maken hiervoor gebruik van SystemVision, een CAD tool van Mentor Graphics. Dit moet leiden tot een beter begrip van het Spice Gummel-Poon (SGP) model. Er worden nog geen stralingseffecten in rekening gebracht. Uit een sensitiviteitsanalyse zal blijken welke modelparameters het meest relevant zijn in een stralingsomgeving. Daarna wordt een VHDL-AMS model opgesteld van een COTS matched pair, de LM394 van National Semiconductor. De parameters van deze component zijn niet beschikbaar en worden dus experimenteel geëxtraheerd. In dit model worden tevens de stralingseffecten geïmplementeerd. Metingen van het matched pair onder straling worden daarvoor gebruikt. In een tweede geval wordt een gelijkaardig model uitgewerkt voor een duurdere maar tegelijk ook meer stralingsbestendige 0.35 µm SiGe technologie.

Details

Original languageEnglish
Awarding Institution
  • KHK - Katholieke Hogeschool Kempen - Thomas More Kempen
Supervisors/Advisors
Place of PublicationGeel, Belgium
Publisher
  • Thomas More
Publication statusPublished - Jan 2009

Keywords

  • transistor, bipolair, VHDL-AMS, modellering, stralingshard, SiGe

ID: 260952