Ontwerp van een 0,18 μm CMOS 3-10 GHz UWB LNA met een 3 dB ruisgetal

Research output: ThesisMaster's thesis

Authors

  • Dennis Elen

Institutes & Expert groups

Documents & links

Documents

Abstract

Na de literatuurstudie werd meteen duidelijk dat er al veel onderzoek gedaan is naar het ontwerp van LNA’s voor UWB-toepassingen. Daarom zijn er enkele bestaande schakelingen geselecteerd en zijn deze vervolgens gesimuleerd in T-Spice. De bedoeling hiervan is om deze schakelingen met elkaar te vergelijken en te achterhalen welke LNA de beste resultaten haalt om deze ten slotte te kunnen integreren op chip. Enkele specificaties die voorop gesteld worden zijn onder meer het beperken van S11 en S22 tot minstens -10 dB. Het ruisgetal werd bepaald aan de hand van signalen (met-en zonder tumor) die de LNA ontvangt. Hierbij werd een ruisgetal van 3 dB vastgelegd. Uit de simulatieresulaten blijkt dat de herbruikbare stroomversterker een hogere figure of merit (FOM) heeft dan een common-gate of een LNA met LC-ingangsnetwerk. Verder worden deze resultaten vergeleken met andere gepubliceerde schakelingen. Hieruit blijkt dat er andere schakelingen zijn die een nog hogere FOM halen.

Details

Original languageEnglish
Awarding Institution
  • KHK - Katholieke Hogeschool Kempen - Thomas More Kempen
Supervisors/Advisors
Place of PublicationGeel, Belgium
Publisher
  • Thomas More
Publication statusPublished - Jun 2012

Keywords

  • low noise amplifier, ultra-wideband, CMOS

ID: 112235