Ontwerp van een 0,18 μm CMOS 3-10 GHz UWB LNA met een 3 dB ruisgetal

Research output: ThesisMaster's thesis

Standard

Ontwerp van een 0,18 μm CMOS 3-10 GHz UWB LNA met een 3 dB ruisgetal. / Elen, Dennis; D'Agostino, Emiliano (Peer reviewer).

Geel, Belgium : Thomas More, 2012. 60 p.

Research output: ThesisMaster's thesis

Harvard

Elen, D & D'Agostino, E 2012, 'Ontwerp van een 0,18 μm CMOS 3-10 GHz UWB LNA met een 3 dB ruisgetal', KHK - Katholieke Hogeschool Kempen - Thomas More Kempen, Geel, Belgium.

Vancouver

Author

Bibtex - Download

@phdthesis{b293530e3eda4c74a3187ad3da98b9ac,
title = "Ontwerp van een 0,18 μm CMOS 3-10 GHz UWB LNA met een 3 dB ruisgetal",
abstract = "Na de literatuurstudie werd meteen duidelijk dat er al veel onderzoek gedaan is naar het ontwerp van LNA’s voor UWB-toepassingen. Daarom zijn er enkele bestaande schakelingen geselecteerd en zijn deze vervolgens gesimuleerd in T-Spice. De bedoeling hiervan is om deze schakelingen met elkaar te vergelijken en te achterhalen welke LNA de beste resultaten haalt om deze ten slotte te kunnen integreren op chip. Enkele specificaties die voorop gesteld worden zijn onder meer het beperken van S11 en S22 tot minstens -10 dB. Het ruisgetal werd bepaald aan de hand van signalen (met-en zonder tumor) die de LNA ontvangt. Hierbij werd een ruisgetal van 3 dB vastgelegd. Uit de simulatieresulaten blijkt dat de herbruikbare stroomversterker een hogere figure of merit (FOM) heeft dan een common-gate of een LNA met LC-ingangsnetwerk. Verder worden deze resultaten vergeleken met andere gepubliceerde schakelingen. Hieruit blijkt dat er andere schakelingen zijn die een nog hogere FOM halen.",
keywords = "low noise amplifier, ultra-wideband, CMOS",
author = "Dennis Elen and Emiliano D'Agostino",
note = "Score = 2",
year = "2012",
month = "6",
language = "English",
publisher = "Thomas More",
school = "KHK - Katholieke Hogeschool Kempen - Thomas More Kempen",

}

RIS - Download

TY - THES

T1 - Ontwerp van een 0,18 μm CMOS 3-10 GHz UWB LNA met een 3 dB ruisgetal

AU - Elen, Dennis

A2 - D'Agostino, Emiliano

N1 - Score = 2

PY - 2012/6

Y1 - 2012/6

N2 - Na de literatuurstudie werd meteen duidelijk dat er al veel onderzoek gedaan is naar het ontwerp van LNA’s voor UWB-toepassingen. Daarom zijn er enkele bestaande schakelingen geselecteerd en zijn deze vervolgens gesimuleerd in T-Spice. De bedoeling hiervan is om deze schakelingen met elkaar te vergelijken en te achterhalen welke LNA de beste resultaten haalt om deze ten slotte te kunnen integreren op chip. Enkele specificaties die voorop gesteld worden zijn onder meer het beperken van S11 en S22 tot minstens -10 dB. Het ruisgetal werd bepaald aan de hand van signalen (met-en zonder tumor) die de LNA ontvangt. Hierbij werd een ruisgetal van 3 dB vastgelegd. Uit de simulatieresulaten blijkt dat de herbruikbare stroomversterker een hogere figure of merit (FOM) heeft dan een common-gate of een LNA met LC-ingangsnetwerk. Verder worden deze resultaten vergeleken met andere gepubliceerde schakelingen. Hieruit blijkt dat er andere schakelingen zijn die een nog hogere FOM halen.

AB - Na de literatuurstudie werd meteen duidelijk dat er al veel onderzoek gedaan is naar het ontwerp van LNA’s voor UWB-toepassingen. Daarom zijn er enkele bestaande schakelingen geselecteerd en zijn deze vervolgens gesimuleerd in T-Spice. De bedoeling hiervan is om deze schakelingen met elkaar te vergelijken en te achterhalen welke LNA de beste resultaten haalt om deze ten slotte te kunnen integreren op chip. Enkele specificaties die voorop gesteld worden zijn onder meer het beperken van S11 en S22 tot minstens -10 dB. Het ruisgetal werd bepaald aan de hand van signalen (met-en zonder tumor) die de LNA ontvangt. Hierbij werd een ruisgetal van 3 dB vastgelegd. Uit de simulatieresulaten blijkt dat de herbruikbare stroomversterker een hogere figure of merit (FOM) heeft dan een common-gate of een LNA met LC-ingangsnetwerk. Verder worden deze resultaten vergeleken met andere gepubliceerde schakelingen. Hieruit blijkt dat er andere schakelingen zijn die een nog hogere FOM halen.

KW - low noise amplifier

KW - ultra-wideband

KW - CMOS

UR - http://ecm.sckcen.be/OTCS/llisapi.dll/open/ezp_122317

UR - http://knowledgecentre.sckcen.be/so2/bibref/9270

M3 - Master's thesis

PB - Thomas More

CY - Geel, Belgium

ER -

ID: 112235